JANTX1N5811URS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JANTX1N5811URS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JANTX1N5811URS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JANTX1N5811URS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JANTX1N5811URS
- Part Number:
- JANTX1N5811URS
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 43792 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JANTX1N5811URS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 875mV @ 4A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 150V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | B, SQ-MELF |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 30ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SQ-MELF, B |
| Inne nazwy: | 1086-19445 1086-19445-MIL |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 150V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 3A |
| Pojemność @ VR F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JANTX1N5811URS
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash