JANS1N6677UR-1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JANS1N6677UR-1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JANS1N6677UR-1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JANS1N6677UR-1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JANS1N6677UR-1
- Part Number:
- JANS1N6677UR-1
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 47466 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JANS1N6677UR-1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 200mA |
| Napięcie - Podział: | DO-213AA |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/610 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | DO-213AA |
| Inne nazwy: | 1086-16033 1086-16033-MIL |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | JANS1N6677UR-1 |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 40V 200mA Surface Mount DO-213AA |
| Diode Configuration: | 5µA @ 40V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500mV @ 200mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 40V |
| Pojemność @ VR F: | -65°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JANS1N6677UR-1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC