JANS1N6314US jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JANS1N6314US, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JANS1N6314US przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JANS1N6314US z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JANS1N6314US
- Part Number:
- JANS1N6314US
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 3.9V 5W B-SQ MELF
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40684 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JANS1N6314US.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 3.9V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 1A |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | B, SQ-MELF |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SQ-MELF, B |
| Inne nazwy: | 1086-15267 1086-15267-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 23 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 3.9V 5W ±5% Surface Mount B, SQ-MELF |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JANS1N6314US
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny