JAN2N720A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN2N720A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN2N720A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN2N720A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN2N720A
- Part Number:
- JAN2N720A
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 33327 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN2N720A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 80V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 5V @ 15mA, 150mA |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-18 (TO-206AA) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/182 |
| Moc - Max: | 500mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Inne nazwy: | 1086-21126 1086-21126-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 23 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 10µA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN2N720A
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny