JAN1N6761UR-1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN1N6761UR-1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N6761UR-1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN1N6761UR-1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN1N6761UR-1
- Part Number:
- JAN1N6761UR-1
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 25271 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN1N6761UR-1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1A |
| Napięcie - Podział: | - |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/586 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 70pF @ 5V, 1MHz |
| Polaryzacja: | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Inne nazwy: | 1086-16035 1086-16035-MIL |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | JAN1N6761UR-1 |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 100V 1A Surface Mount |
| Diode Configuration: | 100µA @ 100V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 380mV @ 100mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N6761UR-1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen