JAN1N3323B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN1N3323B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N3323B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN1N3323B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN1N3323B
- Part Number:
- JAN1N3323B
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 27V 50W DO5
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42130 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN1N3323B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 27V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 10A |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-5 |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/158 |
| Moc - Max: | 50W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Inne nazwy: | 1086-15696 1086-15696-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 2.8 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 27V 50W ±5% Stud Mount DO-5 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 20.6V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N3323B
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC