J4K316BJ105MF-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla J4K316BJ105MF-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla J4K316BJ105MF-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup J4K316BJ105MF-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
J4K316BJ105MF-T
- Part Number:
- J4K316BJ105MF-T
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- CAP ARRAY 1.0UF 25V X5R 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30870 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- J4K316BJ105MF-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy: | X5R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| Inne nazwy: | CE J4K316 BJ105MF-T J4K316BJ105MFT |
| Ilość Kondensatory: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.045" (1.15mm) |
| Materiał dielektryka: | Ceramic |
| szczegółowy opis: | 1µF Isolated Capacitor 4 Array 25V X5R 1206 (3216 Metric) |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Pojemność: | 1µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do J4K316BJ105MF-T
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe