J310_D75Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla J310_D75Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla J310_D75Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup J310_D75Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
J310_D75Z
- Part Number:
- J310_D75Z
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- JFET N-CH 25V 60MA TO92
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20831 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- J310_D75Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 10V |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-Channel JFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| noise Figure: | 3dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 12dB |
| Częstotliwość: | 450MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel JFET 10V 10mA 450MHz 12dB TO-92-3 |
| Aktualna ocena: | 60mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | J310 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do J310_D75Z
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny