ISPLSI 2096VE-135LTN128I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISPLSI 2096VE-135LTN128I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISPLSI 2096VE-135LTN128I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISPLSI 2096VE-135LTN128I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISPLSI 2096VE-135LTN128I
- Part Number:
- ISPLSI 2096VE-135LTN128I
- Producent:
- Lattice Semiconductor
- Opis:
- IC CPLD 96MC 7.5NS 128TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30987 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie zasilania - Wewnętrzne: | 3 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 128-TQFP (14x14) |
| Seria: | ispLSI® 2000VE |
| Programowalny Rodzaj: | In System Programmable |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 128-LQFP |
| Inne nazwy: | ISPLSI 2096VE-135LTN128I-ND ISPLSI2096VE-135LTN128I |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość Macrocells: | 96 |
| Ilość Logic Elements / Blocks: | 24 |
| Liczba I / O: | 96 |
| Ilość Gates: | 4000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| TPD Czas opóźnienia (1) Max: | 7.5ns |
| Podstawowy numer części: | ISPLSI 2096 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISPLSI 2096VE-135LTN128I
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC