ISO1540DR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISO1540DR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISO1540DR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISO1540DR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISO1540DR
- Part Number:
- ISO1540DR
- Producent:
- TI
- Opis:
- DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35269 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISO1540DR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 2500Vrms |
| Rodzaj: | I²C |
| Technologia: | Capacitive Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 80ns, 21ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-34871-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojedyncze Moc: | No |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | 2/2 |
| szczegółowy opis: | I²C Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 1Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Szybkość przesyłania danych: | 1Mbps |
| Współczynnik przejściowy (min): | 25kV/µs |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Bidirectional |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISO1540DR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny