ISL96017WIRT8Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL96017WIRT8Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL96017WIRT8Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL96017WIRT8Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL96017WIRT8Z
- Part Number:
- ISL96017WIRT8Z
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC POT DGTL 10K OHM 8-DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40774 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL96017WIRT8Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy (Typ): | ±100 ppm/°C |
| Stożek: | Linear |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-TDFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Odporność - Wiper (Ohms) (Typ): | 100 |
| Oporność (Ohm): | 10k |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-WDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kranów: | 128 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | I²C |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 128 Taps I²C Interface 8-TDFN (3x3) |
| Konfiguracja: | Potentiometer |
| Podstawowy numer części: | ISL96017 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL96017WIRT8Z
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash