ISL9205IRZ-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL9205IRZ-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL9205IRZ-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL9205IRZ-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL9205IRZ-T
- Part Number:
- ISL9205IRZ-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC CHRGR LI-ION SGL 4.2V 16-QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53959 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL9205IRZ-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie (maks.): | 6.5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-QFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Funkcje programowalne: | Timer |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | ISL9205IRZ-TCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość ogniw: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| Ochrona usterek: | Over Temperature |
| szczegółowy opis: | Charger IC Lithium Ion/Polymer 16-QFN (3x3) |
| Prąd - ładowanie: | Constant - Programmable |
| Prąd ładowania - Max: | 900mA |
| Napięcie akumulatora: | 4.2V |
| Chemia baterii: | Lithium Ion/Polymer |
| Podstawowy numer części: | ISL9205 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL9205IRZ-T
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash