ISL6333BCRZ-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL6333BCRZ-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL6333BCRZ-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL6333BCRZ-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL6333BCRZ-T
- Part Number:
- ISL6333BCRZ-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 48-QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20196 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL6333BCRZ-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście: | 0.5 V ~ 1.6 V |
| Napięcie - Wejście: | 5 V ~ 12 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-QFN (7x7) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 48-VFQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | - Controller, Intel VR11 Voltage Regulator IC 1 Output 48-QFN (7x7) |
| Podstawowy numer części: | ISL6333 |
| Aplikacje: | Controller, Intel VR11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL6333BCRZ-T
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC