ISL54302IRZ-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL54302IRZ-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL54302IRZ-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL54302IRZ-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL54302IRZ-T
- Part Number:
- ISL54302IRZ-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC SWITCH QUAD SPST 20QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58658 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL54302IRZ-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | - |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Przełącznik: | SPST |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-QFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 2 Ohm (Typ) |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 1:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Bi-Directional |
| szczegółowy opis: | Switch IC 4 Channel 20-QFN (4x4) |
| Podstawowy numer części: | ISL54302 |
| Aplikacje: | - |
| 3dB Pasmo: | 60MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL54302IRZ-T
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny