IS61C6416AL-12TLI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IS61C6416AL-12TLI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IS61C6416AL-12TLI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IS61C6416AL-12TLI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IS61C6416AL-12TLI
- Part Number:
- IS61C6416AL-12TLI
- Producent:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Opis:
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38048 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.IS61C6416AL-12TLI.pdf2.IS61C6416AL-12TLI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 12ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | SRAM - Asynchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 44-TSOP II |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Inne nazwy: | 706-1089 IS61C6416AL-12TLI-ND IS61C6416AL12TLI |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Mb (64K x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II |
| Czas dostępu: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IS61C6416AL-12TLI
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC