IRU431LCL3TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRU431LCL3TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRU431LCL3TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRU431LCL3TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRU431LCL3TR
- Part Number:
- IRU431LCL3TR
- Opis:
- IC VREF SHUNT ADJ SOT23
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27430 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRU431LCL3TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.24V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 15V |
| Napięcie - Wejście: | - |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Micro3™/SOT-23 |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Shunt |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Inne nazwy: | *IRU431LCL3TR IRU431LCL3CT |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | - |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | Shunt Voltage Reference IC 15V ±1% 10mA Micro3™/SOT-23 |
| Obecny - Dostawa: | - |
| Obecny - Wyjście: | 10mA |
| Obecny - katoda: | 80µA |
| Podstawowy numer części: | IRU431LCL3 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRU431LCL3TR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash