IRU1075CP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRU1075CP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRU1075CP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRU1075CP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRU1075CP
- Part Number:
- IRU1075CP
- Opis:
- IC CONV PENTIUM P55C 3-UTHINPAK
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 50402 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRU1075CP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście: | 1.25 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Wejście: | 2.55 V ~ 7 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 3-Ultra Thin-Pak™ |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
| Inne nazwy: | *IRU1075CP IRU1075-CP IRU1075-CP-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 150°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | - Converter, Intel Pentium®, P55C Voltage Regulator IC 1 Output 3-Ultra Thin-Pak™ |
| Podstawowy numer części: | IRU1075CP |
| Aplikacje: | Converter, Intel Pentium®, P55C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRU1075CP
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC