IRGP4640DPBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRGP4640DPBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRGP4640DPBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRGP4640DPBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRGP4640DPBF
- Part Number:
- IRGP4640DPBF
- Opis:
- IGBT 600V 65A 250W TO247AD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25633 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRGP4640DPBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Przesunięcie (VT): | 400V, 24A, 10 Ohm, 15V |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 65A |
| Napięcie - Podział: | TO-247AD |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | - |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 600V |
| Stan testu: | 41ns/104ns |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 75nC |
| Przełączanie Energy: | 72A |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Moc - Max: | 250W |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | IRGP4640D-DPBF-ND SP00153770 |
| Temperatura pracy - złącze: | 89ns |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IRGP4640DPBF |
| Typ wejścia: | Standard |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 1.9V @ 15V, 24A |
| brama Charge: | 115µJ (on), 600µJ (off) |
| Rozszerzony opis: | IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-247AD |
| Opis: | IGBT 600V 65A 250W TO247AD |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRGP4640DPBF
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego