IRF9910TRPBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRF9910TRPBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF9910TRPBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRF9910TRPBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRF9910TRPBF
- Part Number:
- IRF9910TRPBF
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58818 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRF9910TRPBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.55V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | *IRF9910TRPBF IRF9910PBFCT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 10A, 12A |
| Podstawowy numer części: | IRF9910PBF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRF9910TRPBF
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny