IRF03RU2R2K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRF03RU2R2K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF03RU2R2K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRF03RU2R2K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRF03RU2R2K
- Part Number:
- IRF03RU2R2K
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- IRF-3 2.2 10% R36
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30382 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRF03RU2R2K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | IRF |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 55 @ 7.9MHz |
| Opakowania: | - |
| Package / Case: | Axial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 7.9MHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 110MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Unshielded Inductor 750mA 280 mOhm Max Axial |
| DC Resistance (DCR): | 280 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 750mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRF03RU2R2K
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe