IPW60R160P6FKSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IPW60R160P6FKSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IPW60R160P6FKSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IPW60R160P6FKSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IPW60R160P6FKSA1
- Part Number:
- IPW60R160P6FKSA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 600V TO247-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IPW60R160P6FKSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 2080pF @ 100V |
| Napięcie - Podział: | PG-TO247-3 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (maks.): | 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | CoolMOS™ P6 |
| Stan RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 23.8A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | SP001017092 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | IPW60R160P6FKSA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 44nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4.5V @ 750µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 600V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 600V TO247-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| Stosunek pojemności: | 176W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPW60R160P6FKSA1
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025