IPW60R160P6FKSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IPW60R160P6FKSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IPW60R160P6FKSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IPW60R160P6FKSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IPW60R160P6FKSA1
- رقم القطعة:
- IPW60R160P6FKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V TO247-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31753 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IPW60R160P6FKSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 2080pF @ 100V |
| الجهد - انهيار: | PG-TO247-3 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 160 mOhm @ 9A, 10V |
| فغس (ماكس): | 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | CoolMOS™ P6 |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 23.8A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | SP001017092 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPW60R160P6FKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 44nC @ 10V |
| نوع IGBT: | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.5V @ 750µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V TO247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600V |
| نسبة السعة: | 176W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPW60R160P6FKSA1
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU