IPB035N08N3 G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IPB035N08N3 G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IPB035N08N3 G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IPB035N08N3 G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IPB035N08N3 G
- Part Number:
- IPB035N08N3 G
- Opis:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59792 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IPB035N08N3 G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 8110pF @ 40V |
| Napięcie - Podział: | PG-TO263-2 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (maks.): | 6V, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | OptiMOS™ |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 100A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | IPB035N08N3 GDKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | IPB035N08N3 G |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 117nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 80V |
| Stosunek pojemności: | 214W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPB035N08N3 G
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025