INA240A1QDRQ1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla INA240A1QDRQ1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla INA240A1QDRQ1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup INA240A1QDRQ1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
INA240A1QDRQ1
- Part Number:
- INA240A1QDRQ1
- Producent:
- TI
- Opis:
- WIDE CM BI-DIR CURRENT SHUNT MON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56120 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- INA240A1QDRQ1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 5µV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Szybkość narastania: | 2 V/µs |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Inne nazwy: | 296-49646 296-49646-2 296-49646-ND INA240A1QDRQ1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Current Sense Amplifier 1 Circuit 8-SOIC |
| Obecny - Dostawa: | 1.8mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 90µA |
| Amplifier Type: | Current Sense |
| 3dB Pasmo: | 400kHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do INA240A1QDRQ1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny