IMZ4T108 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IMZ4T108, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IMZ4T108 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IMZ4T108 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IMZ4T108
- Part Number:
- IMZ4T108
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34383 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IMZ4T108.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 32V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA |
| Typ tranzystora: | NPN, PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMT6 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 300mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-74, SOT-457 |
| Inne nazwy: | IMZ4T108-ND IMZ4T108TR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 250MHz, 200MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 100mA, 3V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Podstawowy numer części: | *MZ4 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IMZ4T108
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny