IMC1812ER1R2J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IMC1812ER1R2J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IMC1812ER1R2J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IMC1812ER1R2J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IMC1812ER1R2J
- Part Number:
- IMC1812ER1R2J
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- FIXED IND 1.2UH 430MA 550 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32585 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IMC1812ER1R2J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 1812 |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Seria: | IMC-1812 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | IMC1812ER1R2J |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| typ sprzętu: | 1.2µH |
| Częstotliwość - Test: | 80MHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 550 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Średnica - ramię: | 50 @ 7.96MHz |
| Opis: | FIXED IND 1.2UH 430MA 550 MOHM |
| Czas zwłoki: | 7.96MHz |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Aktualna ocena: | 430mA |
| Obecny - Nasycenie: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IMC1812ER1R2J
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił