IHLP6767GZER1R0M01 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IHLP6767GZER1R0M01, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IHLP6767GZER1R0M01 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IHLP6767GZER1R0M01 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IHLP6767GZER1R0M01
- Part Number:
- IHLP6767GZER1R0M01
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- FIXED IND 1UH 48A 1.38 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39889 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IHLP6767GZER1R0M01.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Molded |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
| Seria: | IHLP-6767GZ-01 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 541-1250-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | IHLP6767GZER1R0M01 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.276" (7.00mm) |
| typ sprzętu: | 1µH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 1.38 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 1µH Shielded Molded Inductor 48A 1.38 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 1UH 48A 1.38 MOHM SMD |
| Czas zwłoki: | 100kHz |
| DC Resistance (DCR): | 73A |
| Aktualna ocena: | 48A |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IHLP6767GZER1R0M01
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen