IDT70825S25G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IDT70825S25G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IDT70825S25G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IDT70825S25G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IDT70825S25G
- Part Number:
- IDT70825S25G
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC RAM 128K PARALLEL 84PGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 30108 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.IDT70825S25G.pdf2.IDT70825S25G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 25ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | SARAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 84-PGA (27.94x27.94) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 84-BPGA |
| Inne nazwy: | 70825S25G |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 128Kb (8K x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | RAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SARAM Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 25ns 84-PGA (27.94x27.94) |
| Podstawowy numer części: | IDT70825 |
| Czas dostępu: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IDT70825S25G
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash