IDB30E60ATMA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IDB30E60ATMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IDB30E60ATMA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IDB30E60ATMA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IDB30E60ATMA1
- Part Number:
- IDB30E60ATMA1
- Opis:
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30820 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IDB30E60ATMA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2V @ 30A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO263-3-2 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 126ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | IDB30E60 IDB30E60-ND IDB30E60ATMA1TR SP000013917 |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 52 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 600V 52.3A (DC) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 52.3A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IDB30E60ATMA1
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe