ICE3BR1065JFXKSA2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ICE3BR1065JFXKSA2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ICE3BR1065JFXKSA2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ICE3BR1065JFXKSA2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ICE3BR1065JFXKSA2
- Part Number:
- ICE3BR1065JFXKSA2
- Opis:
- IC OFFLINE CTRLR SMPS OTP TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57210 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ICE3BR1065JFXKSA2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 10.5 V ~ 25 V |
| Napięcie - uruchomienie: | 18V |
| Napięcie - Podział: | 650V |
| topologia: | Flyback |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO220-6-247 |
| Seria: | CoolMOS™, CoolSET™F3R |
| Moc (W): | 178W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-6 Full Pack, Formed Leads |
| Izolacja wyjście: | Isolated |
| Inne nazwy: | ICE3BR1065JF ICE3BR1065JF-ND SP000366369 SP000842986 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 130°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Przełącznik wewnętrzny (e): | Yes |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 67kHz |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage |
| Cykl pracy: | 75% |
| szczegółowy opis: | Converter Offline Flyback Topology 67kHz PG-TO220-6-247 |
| Funkcje sterowania: | - |
| Podstawowy numer części: | ICE3BR1065 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ICE3BR1065JFXKSA2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC