HZA226M035C12T-F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HZA226M035C12T-F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HZA226M035C12T-F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HZA226M035C12T-F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HZA226M035C12T-F
- Part Number:
- HZA226M035C12T-F
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP ALUM POLY HYB 22UF 35V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29072 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HZA226M035C12T-F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 35V |
| Rodzaj: | Hybrid |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| Seria: | HZA |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 90mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 900mA @ 100kHz |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Radial, Can - SMD |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 10000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.240" (6.10mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 100 mOhm |
| szczegółowy opis: | 22µF 35V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 100 mOhm 10000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 22µF |
| Aplikacje: | Automotive, Bypass, Decoupling |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HZA226M035C12T-F
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash