HVMLS442M040EK0D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HVMLS442M040EK0D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HVMLS442M040EK0D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HVMLS442M040EK0D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HVMLS442M040EK0D
- Part Number:
- HVMLS442M040EK0D
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP ALUM 4400UF 20% 40V FLATPACK
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52635 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HVMLS442M040EK0D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 40V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.500" L x 1.750" W (38.10mm x 44.45mm) |
| Seria: | MLS |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 10.3A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 12.1A @ 20kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | FlatPack, Tabbed |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 10000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | 1.000" (25.40mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.500" (12.70mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 97 mOhm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 4400µF 40V Aluminum Electrolytic Capacitors FlatPack, Tabbed 97 mOhm @ 120Hz 10000 Hrs @ 85°C |
| Pojemność: | 4400µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HVMLS442M040EK0D
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe