HK06035N1S-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HK06035N1S-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HK06035N1S-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HK06035N1S-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HK06035N1S-T
- Part Number:
- HK06035N1S-T
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 5.1NH 270MA 330 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23151 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.HK06035N1S-T.pdf2.HK06035N1S-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Tolerancja: | ±0.3nH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0201 (0603 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | HK |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 5 @ 100MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0201 (0603 Metric) |
| Inne nazwy: | HK06035N1ST LG HK 0603 5N1S-T |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 5.1nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.013" (0.33mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 5GHz |
| szczegółowy opis: | 5.1nH Unshielded Multilayer Inductor 270mA 330 mOhm Max 0201 (0603 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 330 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 270mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HK06035N1S-T
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC