HFZ102MBFEJ0KR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HFZ102MBFEJ0KR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HFZ102MBFEJ0KR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HFZ102MBFEJ0KR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HFZ102MBFEJ0KR
- Part Number:
- HFZ102MBFEJ0KR
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP CER 1000PF 6KV RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20563 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HFZ102MBFEJ0KR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 6000V (6kV) |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.669" Dia (17.00mm) |
| Seria: | HFZ |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Disc |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | Straight |
| Główny odstęp: | 0.492" (12.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.787" (20.00mm) |
| cechy: | High Voltage |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 1000pF ±20% 6000V (6kV) Ceramic Capacitor Radial, Disc |
| Pojemność: | 1000pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HFZ102MBFEJ0KR
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe