HFA3096B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HFA3096B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HFA3096B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HFA3096B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HFA3096B
- Part Number:
- HFA3096B
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27686 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HFA3096B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 12V, 15V |
| Typ tranzystora: | 3 NPN + 2 PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | - |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 3.5dB @ 1GHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Zdobyć: | - |
| Częstotliwość - Transition: | 8GHz, 5.5GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 65mA |
| Podstawowy numer części: | HFA3096 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HFA3096B
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe