HES075ZE-A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HES075ZE-A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HES075ZE-A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HES075ZE-A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HES075ZE-A
- Part Number:
- HES075ZE-A
- Producent:
- Bel
- Opis:
- DC DC CONVERTER
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 35263 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HES075ZE-A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | - |
| Napięcie - Wejście (Min): | 36V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 72V |
| Rodzaj: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.40" L x 2.28" W x 0.50" H (61.0mm x 57.9mm x 12.7mm) |
| Seria: | HES |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 9-DIP Module |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | - |
| Wydajność: | - |
| szczegółowy opis: | DC DC Converter 1 Output 36V - 72V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | - |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HES075ZE-A
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC