HEF4938BT,118 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HEF4938BT,118, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HEF4938BT,118 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HEF4938BT,118 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HEF4938BT,118
- Part Number:
- HEF4938BT,118
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC DUAL MONO MULTIVIB 16-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27544 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HEF4938BT,118.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SO |
| Seria: | 4000B |
| Wejście Przerzutnik Schmitta: | No |
| Opóźnienie propagacji: | 40ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 935059780118 HEF4938BT-T HEF4938BT-T-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Monostable |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 2 |
| szczegółowy opis: | Monostable Multivibrator 40ns 16-SO |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Podstawowy numer części: | 4938 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HEF4938BT,118
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe