HEF4044BP,652 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HEF4044BP,652, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HEF4044BP,652 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HEF4044BP,652 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HEF4044BP,652
- Part Number:
- HEF4044BP,652
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC R/S LATCH 3-STATE QUAD 16DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59965 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HEF4044BP,652.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 15 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-DIP |
| Seria: | 4000B |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Tri-State |
| Inne nazwy: | 568-9970-5 933296680652 HEF4044BP,652-ND HEF4044BPN HEF4044BPN-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | S-R Latch |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 4 |
| szczegółowy opis: | S-R Latch 4 Channel 4:4 IC Tri-State 16-DIP |
| Opóźnienie - Rozmnażanie: | 30ns |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 3mA, 3mA |
| Obwód: | 4:4 |
| Podstawowy numer części: | 4044 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HEF4044BP,652
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny