HEC4066BT-Q100J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HEC4066BT-Q100J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HEC4066BT-Q100J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HEC4066BT-Q100J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HEC4066BT-Q100J
- Part Number:
- HEC4066BT-Q100J
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC SWITCH QUAD 2X1 14SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47586 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HEC4066BT-Q100J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 3 V ~ 15 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | - |
| Przełącznik: | SPST - NC |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SO |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 935302474118 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 155 Ohm |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 1:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 4 Circuit IC Switch 1:1 155 Ohm 14-SO |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 200nA |
| Przesłuchy: | -50dB @ 1MHz |
| Wtrysk ładowania: | - |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 5 Ohm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 7.5pF |
| Podstawowy numer części: | 4066 |
| 3dB Pasmo: | 90MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HEC4066BT-Q100J
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC