GRM219D71A475ME15D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GRM219D71A475ME15D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GRM219D71A475ME15D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GRM219D71A475ME15D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GRM219D71A475ME15D
- Part Number:
- GRM219D71A475ME15D
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 4.7UF 10V X7T 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22873 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.GRM219D71A475ME15D.pdf2.GRM219D71A475ME15D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | 4.7µF |
| Grubość (maks): | X7T |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | GRM |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | GRM219D71A475ME15D |
| Lead Style: | 0.037" (0.95mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 4.7µF ±20% 10V Ceramic Capacitor X7T 0805 (2012 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 4.7UF 10V X7T 0805 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GRM219D71A475ME15D
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU