GBU6M-E3/51 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GBU6M-E3/51, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GBU6M-E3/51 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GBU6M-E3/51 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GBU6M-E3/51
- Part Number:
- GBU6M-E3/51
- Producent:
- Opis:
- DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51060 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.GBU6M-E3/51.pdf2.GBU6M-E3/51.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Single Phase |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3.8A |
| Napięcie - Podział: | GBU |
| Technologia: | Standard |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | 4-SIP, GBU |
| Inne nazwy: | GBU6M-E3/51-ND GBU6ME351 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Numer części producenta: | GBU6M-E3/51 |
| Rozszerzony opis: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.8A Through Hole GBU |
| Diode Configuration: | 5µA @ 1000V |
| Opis: | DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1V @ 6A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1000V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GBU6M-E3/51
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU