G6K-2P-Y DC3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G6K-2P-Y DC3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G6K-2P-Y DC3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G6K-2P-Y DC3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G6K-2P-Y DC3
- Part Number:
- G6K-2P-Y DC3
- Producent:
- Omron
- Opis:
- RELAY TELECOM DPDT 1A 125V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20384 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G6K-2P-Y DC3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 2.4 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 0.3 VDC |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 125VAC, 60VDC - Max |
| Seria: | G6K |
| Czas Release: | 3ms |
| Relay Type: | Telecom |
| Opakowania: | Tube |
| Inne nazwy: | G6K 1151D G6K 3039M G6K-2P-Y DC3 BY OMR G6K-2P-Y-DC3 G6K-2P-Y-DC3-ND G6K2PY3DC G6K2PYDC3 G6K2PYDC3BYOMR G6K2PYDC3BYOMZ Z2658 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 70°C |
| Czas zadziałania: | 3ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 1A |
| Materiał styków: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| Formularz kontaktowy: | DPDT (2 Form C) |
| Napięcie cewki: | 3VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 91 Ohms |
| cewka zasilania: | 100 mW |
| Aktualny Coil: | 33.0mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G6K-2P-Y DC3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC