G6B-1114P-US-DC9 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G6B-1114P-US-DC9, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G6B-1114P-US-DC9 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G6B-1114P-US-DC9 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G6B-1114P-US-DC9
- Part Number:
- G6B-1114P-US-DC9
- Producent:
- Omron
- Opis:
- RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 9V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29074 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G6B-1114P-US-DC9.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - DC Spark Over (nominalne): | Silver Alloy, Cadmium Free |
| Włącz napięcie (maks): | 380VAC, 125VDC - Max |
| Wyłącz napięcie (Min): | 6.3 VDC |
| Metoda Timing Adjustment: | General Purpose |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 5A |
| Kroki na obrót: | Non Latching |
| Seria: | G6B |
| Rotor Inertia: | 405 Ohms |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Czas Release: | 10ms |
| Inne nazwy: | G6B 1016M G6B1114PUS9DC G6B1114PUSDC9 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 70°C |
| Czas zadziałania: | 0.9 VDC |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | G6B-1114P-US-DC9 |
| Prąd ładowania: | 200 mW |
| cechy: | Sealed - Fully |
| Rozszerzony opis: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 9VDC Coil Through Hole |
| Opis: | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 9V |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 9VDC |
| Napięcie cewki: | 22.2mA |
| cewka zasilania: | 10ms |
| Odstępy od spodu: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G6B-1114P-US-DC9
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash