G4B-112T1-US AC120 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G4B-112T1-US AC120, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G4B-112T1-US AC120 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G4B-112T1-US AC120 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G4B-112T1-US AC120
- Part Number:
- G4B-112T1-US AC120
- Producent:
- Omron
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 120V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29240 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G4B-112T1-US AC120.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 96 VAC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 36 VAC |
| Termination Style: | Quick Connect - 0.187"/0.250" |
| przełączanie napięcia: | 250VAC, 125VDC - Max |
| Seria: | G4B |
| Czas Release: | 20ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | G4B-112T1-US-AC120 G4B-112T1-USAC120 G4B-112T1-USAC120BYOMI G4B112T1USAC120 G4B112T1USAC120BYOMI |
| temperatura robocza: | -10°C ~ 55°C |
| Czas zadziałania: | 20ms |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 120VAC Coil Chassis Mount |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 15A |
| Materiał styków: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formularz kontaktowy: | SPST-NO (1 Form A) |
| Napięcie cewki: | 120VAC |
| Coil Type: | Non Latching |
| cewka zasilania: | 1.3 VA |
| Aktualny Coil: | 10.8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G4B-112T1-US AC120
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash