G3J-205BL DC12-24 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G3J-205BL DC12-24, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G3J-205BL DC12-24 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G3J-205BL DC12-24 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G3J-205BL DC12-24
- Part Number:
- G3J-205BL DC12-24
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- SSR RELAY SPST-NO 4.8A 75-264V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24063 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G3J-205BL DC12-24.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Obciążenie: | 75V ~ 264V |
| Napięcie - Wejście: | 9.6 ~ 26.4VDC |
| Termination Style: | Screw Terminal |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | G3J |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | - |
| Typ wyjścia: | AC |
| Inne nazwy: | G3J-205BLDC12-24 G3J205BLDC1224 |
| Rodzaj mocowania: | DIN Rail |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 2 Weeks |
| Prąd ładowania: | 4.8A |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) |
| Obwód: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G3J-205BL DC12-24
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC