FVTS10R1E900R0JE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FVTS10R1E900R0JE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FVTS10R1E900R0JE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FVTS10R1E900R0JE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FVTS10R1E900R0JE
- Part Number:
- FVTS10R1E900R0JE
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- RES CHAS MNT 900 OHM 5% 12W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55336 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FVTS10R1E900R0JE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±260ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.313" Dia x 1.750" L (7.94mm x 44.45mm) |
| Seria: | FVTS |
| Tryb panel: | 900 Ohms |
| Moc (W): | 12W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Tubular |
| Inne nazwy: | FVTS-10-900 FVTS10-900 FVTS109005 FVTS10R1E900R0JE-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 350°C |
| element mocowania: | Brackets (not included) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Lead Style: | Combo Leads |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 900 Ohms ±5% 12W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Okładziny, Typ obudowy: | Vitreous Enamel Coated |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FVTS10R1E900R0JE
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny