FST10035 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FST10035, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FST10035 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FST10035 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FST10035
- Part Number:
- FST10035
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE MODULE 35V 100A TO249AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53396 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.FST10035.pdf2.FST10035.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Cathode |
| Napięcie - Podział: | TO-249AB |
| Prędkość: | 100A |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polaryzacja: | TO-249AB |
| Inne nazwy: | FST10035GN |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | FST10035 |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 100A Chassis Mount TO-249AB |
| Diode Configuration: | 2mA @ 20V |
| Opis: | DIODE MODULE 35V 100A TO249AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 650mV @ 100A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 35V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FST10035
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU