FODM453R2V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FODM453R2V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FODM453R2V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FODM453R2V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FODM453R2V
- Part Number:
- FODM453R2V
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32919 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FODM453R2V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 20V |
| Napięcie - Izolacja: | 3750Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.6V |
| Vce Nasycenie (Max): | - |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 400ns, 350ns |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 5-Mini-Flat |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads |
| Typ wyjścia: | Transistor |
| Inne nazwy: | FODM453R2V-ND FODM453R2V_NL FODM453R2V_NL-ND FODM453R2VFS FODM453R2VFS-ND FODM453R2VTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 5-Mini-Flat |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 20% @ 16mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | 50% @ 16mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 8mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FODM453R2V
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash