FOD8384V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FOD8384V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FOD8384V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FOD8384V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FOD8384V
- Part Number:
- FOD8384V
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 5SOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29109 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FOD8384V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 15 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.43V |
| Technologia: | Optical Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 5-SOP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 35ns, 25ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 65ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 210ns, 210ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 6-SOIC (0.346", 8.80mm Width), 5 Leads |
| Inne nazwy: | FOD8384VCT FOD8384VCT-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 3A Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel 5-SOP |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 3A |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 2.5A, 2.5A |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 25mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 35kV/µs |
| Zatwierdzenia: | IEC/EN/DIN, UL |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FOD8384V
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC