FOD8012R2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FOD8012R2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FOD8012R2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FOD8012R2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FOD8012R2
- Part Number:
- FOD8012R2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49733 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FOD8012R2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V, 4.5 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 3750Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO Tall |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 6.5ns, 6.5ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 60ns, 60ns |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Push-Pull, Totem Pole |
| Inne nazwy: | FOD8012R2DKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | 1/1 |
| Typ wejścia: | Logic |
| szczegółowy opis: | Logic Output Optoisolator 15Mbps Push-Pull, Totem Pole 3750Vrms 2 Channel 20kV/µs CMTI 8-SO Tall |
| Szybkość przesyłania danych: | 15Mbps |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 10mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | - |
| Współczynnik przejściowy (min): | 20kV/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FOD8012R2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash